ТРАНЗИСТОРИ N-P-FET

Low on-resistance · High speed switching · Low drive current · Built-in fast recovery diode (trr = 120 ns) · Suitable for motor control, switching regulator, DC-DC converter

0.265oma

Производител VISHAY Тип транзистор N-MOSFET Поляризация униполарен Напрежение дрейн - сорс 500V Ток на дрейна 23A Ток на дрейна при импулс 92A Разсейвана мощност 370W Кутия TO247AC Напрежение гейт-сорс ±30V Съпротивление във включено състояние 235m? Монтаж THT Заряд на гейта 150nС

подходящ за логически контрол

TEXAS INSTRUMENTS Транзистор: N-MOSFET; униполарен; 100V; 150A; 300W; TO220-3 Съпротивление във включено състояние: 3,1moma

Производител Infineon (IRF) Тип транзистор N-MOSFET Технология HEXFET® Поляризация униполарен Напрежение дрейн - сорс 55V Ток на дрейна 13.5A Мощност 110W корпус DPAK Съпротивление във включено състояние 13.5moma Монтаж SMD Заряд на гейта 23nС