ТРАНЗИСТОРИ N-P-FET

VISHAY

Производител INFINEON TECHNOLOGIES N-MOSFET Технология HEXFET® Поляризация униполарен Напрежение дрейн - сорс 60V Ток на дрейна 160A Разсейвана мощност 230W Корпус: TO220AB Напрежение гейт-сорс ±20V Съпротивление във включено състояние 4.2moma Монтаж THT Заряд на гейта 85nС

Производител STMicroelectronics Тип транзистор N-MOSFET Технология SuperMesh™ Поляризация униполарен Напрежение дрейн - сорс 900V Ток на дрейна 5A Разсейвана мощност 40W Крпус TO220FP Напрежение гейт-сорс ±30V Съпротивление във включено състояние 1300mr

Транзистор N-MOSFET униполярен 600V 20.2A 34W 0.19Om TO220F. Технология CoolMOS™.

NMOS 60V 2A 0.5W 0.25Ohm/4V SINGLE

33V min Fully protected MESH Overlay™ III Power MOSFET

N MOSFET транзистор 40V 202A 333W 0.004R

N-FET 800V 17A 0.29R 42W.

ТО263