ТРАНЗИСТОРИ N-P-FET

MOS-N-FET Vdss=600V Id=47A Rds(on)=0.070R 417W,

ON SEMICONDUCTOR N-Channel Power MOSFET, 500V, 28A, 310W, 122 mOhm typ, td(on)/td(off)=56/210ns typ

INFINEON TECHNOLOGIES N-MOSFET Съпротивление във включено състояние: 2,5moma

Монолитен температурен, защитен от претоварване захранващ превключвател базиран на MOSFET технология; Номинален ток на натоварване 6 A

dual N+P 20V 4.3A 2W